●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規模預計將達到30億美元，年復合增長率高達44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關采用變革性的共漏極設計與雙柵極結構●? ?GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業迎來一場重大變革。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日發布《2026年GaN技術展望》，深度解析GaN的技術現狀、應用場景及未來前景，為行業提供重要參考。英
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英飛凌 GaN 氮化鎵高速增長
熱泵是以低排放電力為動力、經實踐驗證的安全可持續供暖方式，也是全球向安全可持續供暖轉型的核心技術。盡管熱泵的主要用途是供暖，但其逆循環功能使其可同時實現供暖與制冷。熱泵能夠回收余熱并將其溫度提升至更實用的水平，因此具備顯著的節能潛力。加速推廣熱泵能帶來多重效益：從全生命周期來看，熱泵可為消費者節省開支，使其規避能源價格波動帶來的影響；改用熱泵供暖可減少溫室氣體排放，助力改善空氣質量；為滿足持續增長的需求，熱泵制造與安裝產業的規模擴張還將創造更多就業崗位。熱泵室外機頂層拓撲結構下圖為安森美 (onsemi)
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TI IPM 熱泵
在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉型加速的雙重驅動下，氮化鎵（GaN）產業正步入關鍵的黃金增長期。根據TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預計將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復合增長率（CAGR）高達44%。在此高速擴張背景下，領先晶圓代工廠的戰略調整正在重塑GaN產業鏈格局。盡管臺積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務，但已通過技術授權協議，將其深厚的技術積累轉移給合作伙伴——世界先進（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動產
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臺積電 格芯 GaN
在傳統橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實現更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統設計。垂直架構：功率技術新高度垂直 GaN 創新：vGaN 支持高電壓和高頻率運行， 效率優于硅芯片先進制造工廠：GaN 研發工作在占地 66,000 平方英尺、 配備 GaN 生產專用工具的潔凈室設施中進行專有 GaN 生長工藝：工程師借助安森
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安森美 GaN 功率器件
本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術的未來。
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開關模式電源 氮化鎵 GaN ADI
太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能，也能提升整個系統的效率，此外，在保證縮小系統尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區更優的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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TOLL GaN 太陽能系統 GaN 德州儀器
太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能，也能提升整個系統的效率，此外，在保證縮小系統尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區更優的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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TI TOLL GaN
●? ?美國國際貿易委員會的最終裁定可能導致英諾賽科涉嫌侵權的產品被禁止進口至美國●? ?該裁決是又一項積極結果，彰顯了英飛凌在業界領先的專利組合的價值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實現高性能、高能效功率系統方面發揮著關鍵作用英飛凌300mm GaN技術美國國際貿易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司擁有的一項氮化鎵（GaN）技術專利1。此外，在初步裁定中，美國國際貿易委員會確認，英飛凌在向該委員會提起的訴訟中
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美國國際貿易委員會 英飛凌 英諾賽科 專利侵權案 GaN
意法半導體發布了新的智能電源組件，使家用電器和工業驅動能夠利用最新的氮化鎵技術，提升能源效率、性能提升并節省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現極高效率以滿足嚴格的生態設計規范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術適用于洗衣機、吹風機、電動工具和工廠自動化等產品的電機驅動。意法半導體應用專用產品部門總經理多梅尼科·阿里戈表示：“我們的新GaNSPIN系統封裝平臺通過引入優化系統性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運動控制應用中的寬帶隙效率提升。”“這些新設
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ST 運動控制 GaN 集成電路平臺
意法半導體發布了新的智能電力組件，使家用電器和工業驅動能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術，提升能源效率、性能提升并節省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現極高效率以滿足嚴格的生態設計規范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術適用于洗衣機、吹風機、電動工具和工廠自動化等產品的電機驅動。?意法半導體應用專用產品部總經理Domenico Arrigo表示：“我們的新GaNSPIN系統封裝平臺通過引入優化系統性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運動控制應
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意法半導體 GaN ICs 運動控制
全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡稱“Allegro”，納斯達克股票代碼：ALGM)，與全球領先的硅基氮化鎵制造供應商英諾賽科?(Innoscience，港交所：-2577.HK)?宣布達成戰略合作，推出了一款開創性的?4.2kW?全?GaN?參考設計，該設計采用了?Allegro?的先進柵極驅動器技術和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創新解決方
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Allegro 英諾賽科 GaN AI數據中心電源 數據中心電源
電力電子產品的銷售額預計將在這十年及以后飆升。推動這一趨勢的是電動汽車產量的增加和數據中心的增長，由于人工智能的采用，數據中心的電力需求更加苛刻。對于使用電力電子的每種應用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程、減少電費、減少供暖和減少碳足跡。由于卓越的效率帶來的這些優勢，基于寬禁帶半導體的器件越來越多地被采用。到目前為止，基于 SiC 的 MOSFET 創造了最多的收入，其中 MOSFET 因贏得電動汽車部署而成為頭條新聞。然而，盡管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它們包括
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p-GaN 屏蔽 開關速度
Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市場預計將達到 30 億美元，2024 年至 2030 年復合年增長率為 42%。消費電子產品是領先的采用者，功率氮化鎵繼續在快速充電器領域占據主導地位。盡管與 xEV 市場放緩相關的短期延遲，但汽車和移動出行領域正在出現新興勢頭。預計 2024 年至 2030 年間，xEV GaN 需求將以 73% 的復合年增長率增長。 數據中心正在加速氮化鎵的發展，因為它們對高效電力系統的需求，而氮化鎵正在成為關鍵的推動者。與電信一起，數據中心在
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Yole GaN 復合年增長率
意法半導體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅動器是為工業或電信設備母線電壓供電系統、72V電池系統和110V交流電源供電設備專門設計，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩壓器，為上下橋臂提供6V柵極驅動信號，拉電流和灌電流路徑采用分開獨立設計，可以靈活控制GaN 的開通和關斷。STDRIVEG210 主打功率變換應用，例如，服務器電源、電池充電器、電源適配器、太陽能微型逆變器和功率優化器、LED燈具、USB-C電源。諧振和硬開關兩種拓撲均適用，300ns啟動時
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意法半導體 半橋柵極驅動器 GaN
近年來，工業電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關頻率下實現高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯MOSFET并不能節省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術。業界對GaN器件性能表現的關注，相應地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優化應用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅動進行了優化。借助
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